半导体装置

摘要

提供一种抗破坏性强的半导体装置。与位于同一基极扩散区17a底面的埋入区44a相互间的距离Wm₁相比，位于不同基极扩散区17a底面的、相互相对的埋入区44a间的距离Wm₂设置得较小(Wm₁＞Wm₂)。由于在基极扩散区17a底面下出现雪崩击穿，雪崩电流不流过基极扩散区17a的源扩散区21正下方的高电阻部分，因此抗破坏性强。

主权项

1. 一种半导体装置，其中设有：第1导电型的电阻层；在所述电阻层内部的表面附近形成的、位置相互分离的第2导电型的多个基极扩散区；在比所述各基极扩散区的横方向的两个边缘更内侧的区域的所述各基极扩散区内部的表面附近分别形成的、比所述各基极扩散区浅的第1导电型的源扩散区；在所述各基极扩散区的边缘与所述各源扩散区的边缘之间的沟道区；至少位于所述各沟道区上的栅绝缘膜；位于所述栅绝缘膜上的栅电极膜；以及在所述各基极扩散区底面上各配置多个的、分别与所述各基极扩散区连接的第2导电型的埋入区，邻接的2个一组的基极扩散区中，在从一个基极扩散区的宽度方向中央位置至另一个基极扩散区的宽度方向中央位置之间，在比基极扩散区深度深、比埋入区底面浅的范围内，设定成使第1导电型的杂质含量和第2导电型的杂质含量相等、且使所述埋入区的内部由耗尽层充满的电压不会在所述埋入层和所述电阻层之间的PN结处引发雪崩击穿，与分别位于不同的所述基极扩散区底面的、相互邻接的所述埋入区所夹入部分的所述电阻层的宽度Wm2相比，相邻地位于同一所述基极扩散区底面的所述埋入区之间的部分的所述电阻层的宽度Wm1形成得更大。