发明名称 太阳能电池
摘要
申请公布号 TWM355461 申请公布日期 2009.04.21
申请号 TW097222085 申请日期 2008.12.09
申请人 财团法人工业技术研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 廖文毅;冯树匀;徐绍中;吴明宪;黎家伶;朱慕道;叶文勇
分类号 H01L31/042 (2006.01) 主分类号 H01L31/042 (2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种太阳能电池,包括:至少一散热基板,其材料为金属;一电池单元,配置于该散热基板上;以及至少一热电单元,配置于该散热基板之一第一表面上,且位于该散热基板与该电池单元之间,其中该热电单元利用靠近该电池单元之一端与靠近该散热基板之另一端之间的温度差产生电流。2.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该散热基板的材料包括银、铜、铝、镍、金或其合金。3.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,更包括一陶瓷材料层,该陶瓷材料层位于该散热基板之一第二表面上。4.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,更包括一复合材料层,该复合材料层位于该散热基板之第二表面上。5.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该电池单元的材料包括IV族元素、III-V族材料或II-VI族材料。6.如申请专利范围第5项所述之太阳能电池,其中该电池单元的材料包括Si、SiGe、GaN、GaAs、GaP或CuInGaSe。7.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该热电单元的材料包括Bi2Te3、PbTe、SiGe、CoSb3或La3Te4。8.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元包括相同材料。9.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该电池单元包括一P型半导体与一N型半导体。10.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该热电单元包括一P型半导体与一N型半导体。11.如申请专利范围第10项所述之太阳能电池,其中该P型半导体与该N型半导体分别与该散热基板接触。12.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,更包括多个聚光元件,该些聚光元件配置于该电池单元上。13.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中各该聚光元件的底面形状包括圆形、三角形、方形、六角形。14.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中该些聚光元件呈阵列排列。15.如申请专利范围第12项所述之太阳能电池,其中各该聚光元件包括具有单一折射率或渐变折射率之透镜。16.如申请专利范围第15项所述之太阳能电池,其中各该聚光元件更包括一抗反射层,该抗反射层配置于该透镜上。17.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元的电路连接方式为并联。18.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元各自具有独立的电极。19.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池,更包括多个散热管路,该些散热管路配置于该散热基板之第二表面上。20.如申请专利范围第19项所述之太阳能电池,其中该些散热管路中包括水、液态氮、液态氦、空气或氮气。21.一种三五族半导体的太阳能电池,包括:至少一散热基板,其材料为金属;一电池单元,配置于该散热基板上;以及至少一热电单元,配置于该散热基板之一第一表面上,且位于该散热基板与该电池单元之间,其中该热电单元利用靠近该电池单元之一端与靠近该散热基板之另一端之间的温度差产生电流。22.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该散热基板的材料包括银、铜、铝、镍、金或其合金。23.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,更包括一陶瓷材料层,该陶瓷材料层位于该散热基板之一第二表面上。24.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,更包括一复合材料层,该复合材料层位于该散热基板之第二表面上。25.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元包括相同的三五族半导体材料。26.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该电池单元包括一P型半导体与一N型半导体。27.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该热电单元包括一P型半导体与一N型半导体。28.如申请专利范围第27项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该P型半导体与该N型半导体分别与该散热基板接触。29.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,更包括多个聚光元件,该些聚光元件配置于该电池单元上。30.如申请专利范围第29项所述之三五族半导体太阳能电池,其中各该聚光元件的底面形状包括圆形、三角形、方形、六角形。31.如申请专利范围第29项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该些聚光元件呈阵列排列。32.如申请专利范围第29项所述之三五族半导体太阳能电池,其中各该聚光元件包括具有单一折射率或渐变折射率之透镜。33.如申请专利范围第32项所述之三五族半导体太阳能电池,其中各该聚光元件更包括一抗反射层,该抗反射层配置于该透镜上。34.如申请专利范围第32项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该透镜具有微米尺寸。35.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元的电路连接方式为并联。36.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该电池单元与该热电单元各自具有独立的电极。37.如申请专利范围第21项所述之三五族半导体太阳能电池,更包括多个散热管路,该些散热管路配置于该散热基板之第二表面上。38.如申请专利范围第37项所述之三五族半导体太阳能电池,其中该些散热管路中包括水、液态氮、液态氦、空气或氮气。图式简单说明:图1是依照本创作之一实施例的一种太阳能电池的剖面示意图。图2A至图2D分别是依照本创作一实施例之聚光元件130的上视形状示意图。图3是依照本创作之另一实施例的一种太阳能电池的剖面示意图。图4是依照本创作之又一实施例的一种太阳能电池的剖面示意图。图5是依照本创作之再一实施例的一种太阳能电池的剖面示意图。图6至图8是图1之太阳能电池的制造流程剖面示意图。
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