| 主权项 |
1.一种主动矩阵基板，包括有：(a)一透明介电基板；(b)复数条闸极线，以等距方式设置于该基板上；(c)复数条资料线，以等距方式设置于该基板上，且与该复数条闸极线形成交叉相交；(d)复数个TFT元件，系形成该闸极线与该资料线之交叉区域的附近；(e)复数个透明介电区域，系以阵列方式设置于该基板上，且构成复数条沿该闸极线延伸之第一凹槽与沿着该资料线延伸之第二凹槽；其中该透明介电区域系构成一具有平坦表面之画素区域，且该透明介电区域之厚度大于或等于该TFT元件、该闸极线与该资料线之最大高度，且该透明介电区域与该TFT元件、该闸极线或该资料线其中之一的距离系大于或等于该透明介电区域之厚度；(f)一平坦层，系选择性地形成已填满该第一凹槽以及该第二凹槽；以及(g)复数个画素电极，系分别设置于该平坦区域表面或上方，其中该画素电极包含有一连接区域，系形成于该平坦层表面上且延伸至其中一条之该第二凹槽，且藉由该平坦层之一孔洞可与其中一个该TFT元件形成电连接。2.如申请专利范围第1项所述之主动矩阵基板，其中该透明介电区域之材质与该平坦层之材质相同。3.如申请专利范围第1项所述之主动矩阵基板，其中该透明介电区域之材质的反射系数与该平坦层之材质的反射系数相同。4.如申请专利范围第1项所述之主动矩阵基板，其中该透明介电区域是由同一材质所堆叠而成的多层结构。5.如申请专利范围第1项所述之主动矩阵基板，其中该透明介电区域是由不同材质所堆叠而成的多层结构。6.如申请专利范围第1项所述之主动矩阵基板，其中该透明介电区域是由以下一种材质所构成：二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)以及有机平坦化材料。7.一种主动矩阵基板之制作方法，包括有下列步骤：(a)提供一透明介电基板；(b)于该基板上形成复数个TFT元件、复数条闸极线以及复数条资料线，该闸极线系以等距方式设置于该基板上，该资料线系以等距方式设置于该基板上且与该复数条闸极线形成交叉相交，该TFT元件系形成该闸极线与该资料线之交叉区域的附近；(c)于该基板上形成一透明介电层，以覆盖该TFT元件、该闸极线以及该资料线；(d)选择性蚀刻该透明介电层，以形成复数个阵列之透明介电区域，且构成复数条沿该闸极线延伸之第一凹槽与沿着该资料线延伸之第二凹槽；其中每一个该透明介电区域系构成一具有平坦表面之画素区域，且该透明介电区域之厚度大于或等于该TFT元件、该闸极线与该资料线之最大高度，且该透明介电区域与该TFT元件、该闸极线或该资料线其中之一的距离系大于或等于该透明介电区域之厚度；(e)选择性地形成一平坦层，以至少填满该第一凹槽以及该第二凹槽；以及(f)于该平坦区域表面或上方形成复数个画素电极，其中该画素电极包含有一连接区域，系形成于该平坦层表面上且延伸至其中一条之该第二凹槽，且藉由该平坦层之一孔洞可与其中一个该TFT元件形成电连接。8.如申请专利范围第7项所述之主动矩阵基板之制作方法，其中该透明介电区域之材质与该平坦层之材质相同。9.如申请专利范围第7项所述之主动矩阵基板之制作方法，其中该透明介电区域之材质的反射系数与该平坦层之材质的反射系数相同。10.如申请专利范围第7项所述之主动矩阵基板之制作方法，其中该透明介电区域是由同一材质所堆叠而成的多层结构。11.如申请专利范围第7项所述之主动矩阵基板之制作方法，其中该透明介电区域是由不同材质所堆叠而成的多层结构。12.如申请专利范围第7项所述之主动矩阵基板之制作方法，其中该透明介电区域是由以下一种材质所构成：二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)以及有机平坦化材料。图式简单说明：第1图显示习知主动矩阵基板之结构示意图。第2A~2C图系显示前案之主动矩阵基板的一部份区域及其制作方法，其中2A与2B图为沿2C图之切线ⅡB-ⅡB的剖面示意图，而2C图为画素区域的上视图。第3图系显示前案技术问题点的剖面示意图。第4图显示本发明第一实施例之主动矩阵基板。第5A至5D图显示本发明第一实施例之主动矩阵基板的制作方法。第6A至6D图显示本发明第二实施例之主动矩阵基板的制作方法。第7图显示本发明第三实施例之主动矩阵基板之示意图。 |
