| 摘要 |
1. Диод для излучения белого света, причем упомянутый диод содержит: ! подложку; ! буферный слой, сформированный на подложке, причем упомянутый буферный слой разделен на первый участок и второй участок; и ! по меньшей мере одну структуру с квантовыми ямами, содержащую модифицированный двойной слой квантовых ям InxGa1-xN/InyGa1-yN/барьера, где этот двойной слой окружает квантовые точки InN и обогащенного индием InGaN, образованные на первом участке буферного слоя, причем эта модифицированная структура с квантовыми ямами дает фотолюминесцентный спектр, одновременно охватывающий основные цвета синего, зеленого и красного. ! 2. Диод по п.1, отличающийся тем, что квантовые точки сформированы путем подачи потока с первым расходом и за первое время по меньшей мере одного из триметилиндия, триэтилиндия или этилдиметилиндия для образования ядер и последующей подачи потока по меньшей мере одного из триметилиндия, триэтилиндия и этилдиметилиндия с триметилгаллием и аммиака с вторым расходом для выращивания и закрытия ядер в квантовых ямах. ! 3. Диод по п.1, отличающийся тем, что существуют приблизительно от 1 до 30 структур с квантовыми ямами. ! 4. Диод по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя квантовых ям InxGa1-xN составляет приблизительно 1-10 нм, и толщина слоя квантового барьера InyGa1-yN составляет приблизительно 5-30 нм. ! 5. Диод по п.1, отличающийся тем, что 1>х>у>0 или у=0. ! 6. Диод по п.1, отличающийся тем, что подложкой является сапфир, SiC или ZnO. ! 7. Диод по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавок используется по меньшей мере один из бисциклопентадиэнилмагния, диэтилцинка и силана. ! 8. Диод по п.1, отличающийся тем, что фотолюминесцентный спектр охваты� |
