| 摘要 |
La structure comporte au moins un dispositif, par exemple une puce microélectronique, et au moins un getter (6) disposés dans une cavité délimitée par deux substrats (2) et un joint de scellement périphérique fermé. Le getter (6) comporte au moins une couche getter (7), de préférence métallique, et une sous-couche d'ajustement (8), en métal pur, située entre la couche getter (7) et le substrat (2), sur lequel il est formé. La sous-couche d'ajustement (8) est apte à moduler la température d'activation de la couche getter (7). |
