| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat du type semi-conducteur sur isolant "SeOI", comprenant un plan de masse (5) intégré sous la couche isolant (3, 4), ce substrat étant destiné à être utilisé dans la fabrication de composants électroniques.Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à :- implanter des atomes et/ou des ions d'un métal, dans au moins une partie d'un substrat receveur semi-conducteur (1),- effectuer un traitement thermique dudit substrat receveur (1), afin d'obtenir un plan de masse (5) intégré sur ou dans au moins une partie dudit substrat receveur (1),- reporter une couche active (23) issue d'un substrat donneur semi-conducteur sur ledit substrat receveur (1), une couche isolante (3, 4) étant intercalée entre lesdits substrats donneur et receveur (1), de façon à obtenir ledit substrat avec un plan de masse (5) intégré.
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