具有平行板沟槽电容器的半导体器件

摘要

半导体器件(10)形成在半导体衬底(12)上，该半导体衬底的表面(24)形成有沟槽(18)。电容器(20)具有第一极板(22)，该第一极板形成衬底表面上并具有第一和第二部分，该第一和第二部分分别为沟槽的第一和第二侧壁(25)加衬里。第二极板(35，38)形成在第一极板上并延伸至位于第一和第二部分的沟槽中。

主权项

1、一种半导体器件，包括：一半导体衬底，其具有形成有多个沟槽的衬底表面；电容器，其形成在第一和第二相邻沟槽中，该电容器包括连续的第一导电层、电介质膜和第二导电材料，所述第一导电层形成在衬底表面的至少一部分上并且为所述第一和第二相邻沟槽的侧壁和底部表面加衬里以提供第一极板，所述电介质膜形成在该电容器的所述第一极板上，所述第二导电材料形成在所述电介质膜上，其中所述第二导电材料填充所述第一和第二相邻沟槽，并且所述第一和第二相邻沟槽中的第二导电材料被直接耦接在一起以形成该电容器的第二极板；以及形成在所述第一和第二相邻沟槽附近的第三沟槽，其中所述连续的第一导电层进一步为所述第三沟槽的侧壁和底部表面加衬里以形成到所述半导体衬底和所述电容器的电极的接触，并且其中所述第三沟槽是在没有第二导电材料的情况下形成的。