| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非易失性存储器及其制造方法，降低了功耗，并防止绝缘层污染。该非易失性存储器包括：半导体衬底；隧穿氧化物层，形成在该半导体衬底的预定部分上；浮动栅，形成在该隧穿氧化物层上，该浮动栅具有沟槽结构；控制栅，形成在该浮动栅的沟槽结构内部；以及栅绝缘层，设置在该浮动栅和该控制栅之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100477230C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200510090319.9 | 申请日期 | 2005.08.12 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 辛恩宗 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，包括：半导体衬底；隧穿氧化物层，形成在所述半导体衬底的预定部分上；浮动栅，形成在所述隧穿氧化物层上，所述浮动栅具有沟槽结构；控制栅，形成在所述浮动栅的沟槽结构内部；栅绝缘层，设置在所述浮动栅和所述控制栅之间；以及硅化物层，形成在所述控制栅和所述浮动栅的上表面中。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||