用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe

摘要

描述了半导体器件结构和制作该结构的方法，该结构提供有完全掺杂的晶体管源/漏区，同时减少甚至避免硼穿透进入晶体管沟道，从而改善了晶体管的性能。此外，这种晶体管受益于对晶体管沟道施加压应力的SiGe层(401)，从而进一步改善了晶体管的性能。

主权项

1.一种用于形成半导体器件的方法，特征在于包括：在硅本体上形成晶体管栅；在栅的相对侧面上形成硅本体的凹陷部分；对该凹陷部分执行第一掺杂，包括对所述凹陷部分的每一个的下表面和侧壁二者掺杂；在执行第一掺杂的步骤之后，在凹陷部分上形成SiGe层；以及在形成SiGe层之后，对栅执行第二掺杂。