| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件包括：存储电路(2)、存取控制电路(3)、地电压供应区域(15)以及多晶硅部(8)。存储电路(2)存储数据。存取控制电路(3)包括第一存取晶体管(3-1)和第二存取晶体管(3-2)并控制所述数据的读和写。地电压供应区域(15)向存储电路(2)和存取控制电路(3)供应地电压。多晶硅部(8)连接包括在第一存取晶体管(3-1)中的第一栅极电极和包括在第二存取晶体管(3-2)中的第二栅极电极，并且由第二导电类型的半导体构成。地电压供应区域(15)连接到供应地电压的地电压供应接触，并包括：由第二导电类型的半导体构成的第一部(22)，以及由第一导电类型的半导体构成的第二部(5-1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101404287A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200810168980.0 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 安彦仁 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括存储电路，配置成存储数据；存取控制电路，配置成包括第一存取晶体管和第二存取晶体管，并且控制所述数据的读和写；地电压供应区域，配置成向所述存储电路和所述存取控制电路供应地电压；以及多晶硅部，配置成连接所述第一存取晶体管中包括的第一栅极电极和所述第二存取晶体管中包括的第二栅极电极，并且由第二导电类型的半导体构成，其中，所述地电压供应区域连接到用于供应所述地电压的地电压供应接触，并包括：第一部，配置成由所述第二导电类型的半导体构成，以及第二部，配置成由第一导电类型的半导体构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||