Q值改善的具有硅贯通孔围篱的芯片上电感器

摘要

一种提供芯片上电感器的绝缘的半导体结构，此半导体结构包含一半导体基材、形成于第一半导体基材上的一个或多个芯片上电感器、在一个或多个芯片上电感器的近处形成贯穿第一半导体基材的多个硅贯通孔、以及将多个硅贯通孔中至少一者耦合接地的一个或多个导体，其中，多个硅贯通孔提供一个或多个芯片上电感器的绝缘。

主权项

1.一种半导体装置，包含：一第一半导体基材；一个或多个芯片上电感器，形成于所述第一半导体基材上；多个第一硅贯通孔，在所述一个或多个芯片上电感器的近处贯穿所述第一半导体基材；以及一个或多个导体，将所述多个第一硅贯通孔中的至少一个硅贯通孔耦合接地；其中，所述多个第一硅贯通孔提供所述一个或多个芯片上电感器的绝缘。