| 发明名称 | 薄膜晶体管、及具有其的显示装置、和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的缓冲层；形成在缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施主的杂质元素。 | ||
| 申请公布号 | CN101404295A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200810168953.3 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;黑川义元;神保安弘;小林聪;河江大辅 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：形成在栅电极上且包含杂质元素的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层；以及形成在所述缓冲层上的一对半导体膜，其中，所述杂质元素用作施主。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||