发明名称 |
注入气体的装置及利用该装置生成原位掺杂多晶硅方法 |
摘要 |
本发明公开了一种注入气体的装置,包括:立式炉管的腔体(11);第一注入器(12),通过位于立式炉管的腔体(11)中部区域的第一开口(A)向所述立式炉管的腔体(11)注入第一混合气体;有第三开口(C)和第四开口(D)的第二注入器(13),通过第三开口(C)和第四开口(D)向立式炉管的腔体(11)注入第二混合气体,第三开口(C)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域,第四开口(D)位于立式炉管的腔体(11)的顶部区域;第一混合气体中磷烷所占比例高于第二混合气体中磷烷所占比例。通过本发明,使磷烷在腔体内分布均匀,进而提高生成的原位掺杂多晶硅的质量。本发明还公开了一种利用所述装置生成原位掺杂多晶硅的方法。 |
申请公布号 |
CN101403104A |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200810226820.7 |
申请日期 |
2008.11.17 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
徐威;刘其金 |
分类号 |
C23C16/24(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
1、一种注入气体的装置,其特征在于,所述装置包括:立式炉管的腔体(11),该腔体(11)按照垂直高度划分了底部区域、中部区域和顶部区域;有第一开口(A)的第一注入器(12),通过第一开口(A)向所述立式炉管的腔体(11)注入由硅烷和磷烷组成的第一混合气体,所述第一开口(A)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域;有第三开口(C)和第四开口(D)的第二注入器(13),通过第三开口(C)和第四开口(D)向所述立式炉管的腔体(11)注入由硅烷和磷烷组成的第二混合气体,所述第三开口(C)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域,第四开口(D)位于立式炉管的腔体(11)的顶部区域;所述第一混合气体中磷烷所占比例高于第二混合气体中磷烷所占比例。 |
地址 |
100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |