高耐压半导体开关元件

摘要

提供一种高耐压半导体开关元件，其利用开关元件本身的结构来控制读出比的集电极电流依赖关系。在P型的基区(2)的表面上，选择性地形成至少1个N型发射区(3)及与发射区(3)隔离的至少1个N型的读出区(5)。配置发射区(3)及读出区(5)，以便它们在相对于从集电区(7)向基区(2)的第1方向垂直的第2方向上排列。设定第2方向上的读出区(5)、发射区(3)、与读出区(5)邻接的部分的基区(2)、及与发射区(3)邻接的部分的基区(2)的各自宽度，以使读出比按照集电极电流的变化产生所希望的变化。

主权项

1、一种高耐压半导体开关元件，其特征在于，包括：形成在第2导电类型半导体的基板内的第1导电类型的基区；选择性地形成在上述基区内的至少1个的第2导电类型的发射区；在上述基区内与上述发射区隔离而选择性地形成的至少1个的第2导电类型的读出区；在上述半导体基板内与上述基区隔离而形成的第1导电类型的集电区；从上述发射区看，至少在位于上述集电区一侧的部分的上述基区上形成的栅绝缘膜；形成在上述栅绝缘膜上的栅电极；形成在上述半导体基板上、且电连接到上述集电区的集电极电极；形成在上述半导体基板上、且电连接到上述基区及上述发射区双方的发射极电极；和形成在上述半导体基板上、且电连接到上述读出区的读出电极，上述发射区及上述读出区被配置使得在相对于从上述集电区向上述基区的第1方向垂直的第2方向上排列，设定上述第2方向上的上述读出区、上述发射区、与上述读出区邻接的部分的上述基区、及与上述发射区邻接的部分的上述基区的各自的宽度，以使集电极电流与读出电流之比即读出比按照该集电极电流的变化而产生所希望的变化。