发明名称 热电型红外线传感器
摘要 本发明提供热电型红外线传感器,其为可以变形且灵敏度高的热电型红外线传感器。所述热电型红外线传感器设有由聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯等高分子材料构成的具有可挠性的基板(11)和由偏二氟乙烯(VDF)低聚物构成的层(13),在VDF低聚物层(13)的上下设置由Al的蒸镀膜等构成的具有可挠性的电极(12)和(14)。通过这些各构成要素的可挠性,本发明的热电型红外线传感器作为整体具有可挠性,可以变形为所期望的形状。此外,由于与以往的热电型红外线传感器中使用的Si等基板相比,由高分子材料构成的基板的热容量和热传导率低,因而可以提高传感器的灵敏度。
申请公布号 CN101405585A 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200780009853.X 申请日期 2007.03.19
申请人 大金工业株式会社 发明人 石田谦司;桑岛修一郎;松重和美;堀内俊寿;松本有史;小谷哲浩;高明天
分类号 G01J1/02(2006.01)I;H01L37/02(2006.01)I 主分类号 G01J1/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 丁香兰;赵冬梅
主权项 1.一种热电型红外线传感器,其特征在于,该热电型红外线传感器具备下述a)、b)、c)和d):a)由高分子材料构成的基板,b)形成在所述基板上的由CF3-(CH2CF2)n-CmH2m+1或其CmH2m+1基团被卤原子取代而得到的物质构成的偏二氟乙烯低聚物层,CF3-(CH2CF2)n-CmH2m+1中,n=5~50,m=1~10,c)形成在所述基板与所述偏二氟乙烯低聚物层之间的具有可挠性的下部电极,d)形成在所述偏二氟乙烯低聚物层上的具有可挠性的上部电极;且该热电型红外线传感器具有可挠性。
地址 日本大阪府