| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100477106C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200510126871.9 | 申请日期 | 2005.11.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中田义弘;尾崎史朗;矢野映 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一多孔绝缘膜；在该第一多孔绝缘膜上方形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜的密度大于该第一多孔绝缘膜的密度；以及通过该第一多孔绝缘膜上存在的该第二绝缘膜，将电子束、UV射线或者等离子体施加于该第一多孔绝缘膜，以固化该第一多孔绝缘膜，其中，形成该第一多孔绝缘膜的步骤包括：涂覆包含簇状化合物的绝缘材料的步骤以及进行热处理以蒸发该绝缘膜材料中的溶剂的步骤，由此制造该第一多孔绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||