一种NAND FLASH存储器件

摘要

本发明公开了一种NAND FLASH存储器件，包括NAND FLASH模块，存储器件上还集成有一管理控制模块，管理控制模块一端通过FLASH总线和NAND FLASH模块相连，另一端通过外部接口与外界应用设备相连，所述的管理控制模块由外部接口界面模块、数据缓存模块、管理算法和ECC模块、NAND FLASH界面模块构成。本发明和普通单一的NANDFLASH模块相比，其接口定义更为简单、应用形式更为多样化、应用更为简单，拓宽了NAND FLASH的应用范围。

主权项

1.一种NAND FLASH存储器件，包括NAND FLASH模块(2)，其特征在于：存储器件上还集成有一管理控制模块(1)，管理控制模块(1)一端通过FLASH总线和NAND FLASH模块(2)相连，另一端通过外部接口与外界应用设备相连，所述的管理控制模块(1)由外部接口界面模块(11)、数据缓存模块(12)、管理算法和ECC模块(13)、NAND FLASH界面模块(14)构成，用于完成外部接口的命令解析，外部应用设备和NAND FLASH模块之间数据的传送和配置，运行中状态的报告，以及对NAND FLASH模块的读、写、擦或备份操作；所述存储器件的数据读写过程为：上电后，管理算法和ECC模块(13)启动坏块管理算法对NANDFLASH模块(2)的坏块进行检测和排除；对NAND FLASH模块(2)写入数据时，外部接口界面模块(11)接收从外界应用设备来的数据，存储于数据缓存模块(12)，管理算法和ECC模块(13)启动ECC算法对数据缓存模块(12)中的数据进行ECC计算，计算的结果插入数据中，同时找到NAND FLASH模块(2)中的空余区域，再把插入了ECC结果的数据通过NAND FLASH界面(14)写入NANDFLASH模块(2)的这些空余区域，并记录此时外部逻辑地址和NANDFLASH模块(2)中的这些写入区域的物理地址的对应关系；对NAND FLASH模块(2)读取数据时，管理算法和ECC模块(13)首先根据读的逻辑地址，找到原先写入的区域的物理地址，再根据物理地址通过NAND FLASH界面(14)从NAND FLASH模块(2)中读出数据并存储于数据缓存模块(12)，同时管理算法和ECC模块(13)提取出数据中的ECC结果，根据ECC结果纠正存储于数据缓存模块(12)中的误码，再通过外部接口界面(11)由外部应用设备读取数据。