发明名称 |
一种高速高可靠性电子器件存储设备 |
摘要 |
本实用新型公开了一种高速高可靠性电子器件存储设备,其特征在于,包括InfiniBand或RapidIO高速接口控制器、处理器、电子存储器件控制器、电子存储器件;高速接口控制器一端连接处理器,另一端通过连接器与外部的高速接口设备相连;电子存储器件控制器的一端接处理器,另一端接电子存储器件。采用InfiniBand或RapidIO下一代高速串行接口是为了实现2.5Gbps甚至更高的存储设备读写速率,采用电子器件是为了保证机械振动、冲击等应力环境条件下的存储数据可靠性,并且设备内部采用了具有容错控制的处理器,可实时监测物理存储区位并对损伤的数据进行恢复,实现容错功能。本实用新型主要应用于高读写速率、高可靠性要求的计算机系统。 |
申请公布号 |
CN201219033Y |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200820053385.8 |
申请日期 |
2008.06.06 |
申请人 |
长城信息产业股份有限公司;长沙湘计海盾科技有限公司 |
发明人 |
孙文德 |
分类号 |
G11C7/10(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/10(2006.01)I |
代理机构 |
长沙市融智专利事务所 |
代理人 |
颜 勇 |
主权项 |
1.一种高速高可靠性电子器件存储设备,其特征在于,包括高速接口控制器、中央处理器、电子存储器件控制器、电子存储器件;高速接口控制器一端连接中央处理器,另一端通过连接器与外部的高速接口设备相连;电子存储器件控制器的一端接中央处理器,另一端接电子存储器件。 |
地址 |
410000湖南省长沙市雨花区雨花路161号 |