发明名称 一种高速高可靠性电子器件存储设备
摘要 本实用新型公开了一种高速高可靠性电子器件存储设备,其特征在于,包括InfiniBand或RapidIO高速接口控制器、处理器、电子存储器件控制器、电子存储器件;高速接口控制器一端连接处理器,另一端通过连接器与外部的高速接口设备相连;电子存储器件控制器的一端接处理器,另一端接电子存储器件。采用InfiniBand或RapidIO下一代高速串行接口是为了实现2.5Gbps甚至更高的存储设备读写速率,采用电子器件是为了保证机械振动、冲击等应力环境条件下的存储数据可靠性,并且设备内部采用了具有容错控制的处理器,可实时监测物理存储区位并对损伤的数据进行恢复,实现容错功能。本实用新型主要应用于高读写速率、高可靠性要求的计算机系统。
申请公布号 CN201219033Y 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200820053385.8 申请日期 2008.06.06
申请人 长城信息产业股份有限公司;长沙湘计海盾科技有限公司 发明人 孙文德
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 代理人 颜 勇
主权项 1.一种高速高可靠性电子器件存储设备,其特征在于,包括高速接口控制器、中央处理器、电子存储器件控制器、电子存储器件;高速接口控制器一端连接中央处理器,另一端通过连接器与外部的高速接口设备相连;电子存储器件控制器的一端接中央处理器,另一端接电子存储器件。
地址 410000湖南省长沙市雨花区雨花路161号