| 发明名称 | 在半导体存储器装置中的片内终结上的模式转移电路 | ||
| 摘要 | 一种片内终结(ODT)模式转移电路，用于一半导体存储器装置中，包括：一延迟锁定回路(DLL)，用以接收一外部时钟信号，以便依据一断电模式及一工作-备用模式产生一DLL时钟信号；一ODT模式信号产生装置，用以产生一ODT模式信号，以响应上述DLL时钟信号及一时钟使能信号；以及一ODT控制装置，用以产生一终端电阻(RTT)信号，以响应一ODT信号及上述ODT模式信号。 | ||
| 申请公布号 | CN100476999C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200410088904.0 | 申请日期 | 2004.11.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 陈承彦 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种在半导体存储器装置中的片内终结模式转移电路，包括：一延迟锁定回路，用以接收一外部时钟信号，以便依据一断电模式及一工作-备用模式产生一延迟锁定回路时钟信号；一片内终结模式信号产生装置，用以产生一片内终结模式信号，以响应该延迟锁定回路时钟信号及一时钟使能信号；以及一片内终结控制装置，用以产生一终端电阻信号，以响应一片内终结信号及该片内终结模式信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||