发明名称 薄膜晶体管衬底和制造方法
摘要 一种薄膜晶体管衬底,包括用于将透明像素电极电连接于薄膜晶体管的上电极。该上电极至少包括第一金属层和形成在第一金属层上的第二金属层。第二金属层的反射系数低于第一金属层的且第一金属层具有不被第二金属层叠盖的区域。
申请公布号 CN100477273C 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200410059385.5 申请日期 2004.06.18
申请人 日本电气株式会社 发明人 林健一;岛本浩文;松崎忠弘
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;陆 弋
主权项 1.一种薄膜晶体管衬底,包括透明衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管之上的像素电极,以及电连接所述薄膜晶体管和所述像素电极的上电极,其中,所述上电极通过所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的夹层绝缘膜中的接触孔电连接所述薄膜晶体管和所述像素电极,所述上电极具有下金属层和上金属层,所述下金属层具有高于所述上金属层的反射系数,且所述上金属层具有低于所述下金属层的反射系数,所述上金属层在所述接触孔的范围中,并且所述下金属层延伸到所述接触孔的范围之外。
地址 日本东京