| 发明名称 | 具有抛光和接地底面部分的半导体芯片 | ||
| 摘要 | 一种具有130微米或更少厚度的半导体芯片，其包含对应于中心电路区域的机械接地底面、和对应于外周划线区域的抛光底面。机械接地底面阻止粘附在晶片底面的重金属向半导体衬底的源/漏区扩散，从而防止降低晶体管性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100477184C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200510083665.4 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 鲸井裕;大汤静宪 |
| 分类号 | H01L23/38(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 杨娟奕 |
| 主权项 | 1、一种包括半导体衬底的半导体器件，该半导体衬底包括具有半导体活性层的中心电路区域和包围所述中心电路区域的外周划线区域，其中所述外周划线区域的底面是抛光面，所述中心电路区域的底面是机械接地面，所述外周划线区域的底面的表面粗糙度低于所述中心电路区域的底面的表面粗糙度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||