一种VDMOS器件

摘要

一种VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的VDMOS器件结构中引入一层掺杂层：对于N沟道VDMOS器件而言，该掺杂层为位于P型基区(5)和N^-漂移区(6)之间的N⁺层(7)；对于P沟道VDMOS器件而言，该掺杂层为位于N型基区(5′)和P^-漂移区(6′)之间的P⁺层(7′)。与传统的VDMOS器件相比，本发明通过在基区和漂移区之间加入掺杂层，增大了电子流经的截面积，可获得较低的导通损耗，而且使得VDMOS固有体二极管的正向导通压降和反向恢复特性得到优化，在降低其正向导通压降的同时也使得反向恢复时间也有所减小；本发明提供的VDMOS器件还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。相对于传统的VDMOS器件，本发明更易满足功率电子系统的应用要求。

主权项

1、一种N沟道VDMOS器件，包括栅极(1)、隔离介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P型基区(5)、N-漂移区(6)、N+衬底(8)和漏极(9)，其特征在于，它还具有N+层(7)，所述N+层(7)位于P型基区(5)和N-漂移区(6)之间。