| 发明名称 | 功耗降低的相变存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供功耗降低的存储器单元(200)及其形成方法。存储器单元具有相变材料层(205)。所述相变材料层的第一部分(206)包含所述存储器单元的可编程卷(202)，且其结晶状态具有比相变材料层的第二部分(207)的结晶状态的电阻率高的电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN101405883A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200780009465.1 | 申请日期 | 2007.03.14 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 刘峻 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种存储器元件，其包括：相变材料区，其包括彼此串联的第一和第二部分，所述第一部分的结晶相具有比所述第二部分的所述结晶相的电阻率高的电阻率。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||