升华法制备碳化硅纳米棒的方法

摘要

本发明公开了一种升华法制备碳化硅纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将碳化硅粉放入坩埚中，在坩埚上部30～300mm处放置沉积物收集器，置于10-3Pa以下真空环境中，再充以氩气至大于10000Pa并升温至1800～2500℃，之后抽气降压至10000Pa以下并保温15-30小时进行升华沉积。本发明制备出的碳化硅纳米棒为晶态的立方相β-SiC，其表面形貌如图1，2所示。本发明直接使用碳化硅粉末做原料，不使用任何其它前驱物和催化剂，将蒸发源和沉积生长区分离，有效地避免了杂质和其它付产物地影响，获得的碳化硅纯度高，直径在15～30纳米，长度在1～2微米，显示了很好的尺寸均匀性，并且方法简单、易于推广、适合大规模工业生产。

主权项

1、一种升华法制备碳化硅纳米棒的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现的：以碳化硅粉为生长原料，取碳化硅粉放入坩埚中，在坩埚上部距碳化硅粉物料30～300mm处放置沉积物收集器，所述沉积物收集器为至少有一个收集面的耐高温体，将上述坩埚及沉积物收集器置于10-3Pa以下真空环境中，然后充以氩气至大于10000Pa并升温至1800～2500℃，之后抽气降压至10000Pa以下并保温15-30小时进行升华沉积后，停止加温并使炉温冷却至常温，将坩埚上部沉积物收集器取出，收集沉积物收集器收集面上沉积的白色絮状物，即为碳化硅纳米棒。