| 发明名称 | 具有芯片上终结电路的半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 一种芯片上终结电路，其被耦合到垫且包含在半导体存储器件中，用以减少由于信号反射现象所造成之干扰，其包含耦合在输出节点和电源电压之间的上拉块；耦合在输出节点和地之间的下拉块；及用以接收ODT控制信号以同时激励上拉块和下拉块之控制块。 | ||
| 申请公布号 | CN100477212C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200510008748.7 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔诚珉 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I;H03K19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种芯片上终结电路，其被耦合到垫且包含在半导体存储器件中，用以减少由于信号反射现象所造成的干扰，其包含：上拉块，其耦合在输出节点和电源电压之间；下拉块，其耦合在输出节点和地之间；及控制块，用以同步所述上拉块和下拉块的操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||