| 发明名称 | 形成半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体装置的方法，包括以下步骤：在一基板上形成一栅极；在该栅极对应侧的基板内形成多个凹口；在该基板的所述凹口内形成一扩散阻障层；在所述凹口内通过外延生长形成一硅层；以及在该硅层上沉积一半导体合金以形成源极/漏极区。本发明提供了具有设置在源极/漏极区内的半导体合金，并可降低或避免掺杂物质扩散进入沟道区的情况发生。 | ||
| 申请公布号 | CN100477131C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200610093806.5 | 申请日期 | 2006.06.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈豪育;郑水明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置的方法，包括下列步骤：在一基板上形成一栅极；在该栅极对应侧的基板内形成多个凹口；在该基板的所述凹口内形成一扩散阻障层；在所述凹口内通过外延生长形成一硅层；以及在该硅层上沉积一半导体合金，以形成源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||