PROCEDE DE REALISATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A ARCHITECTURE ASYMETRIQUE

摘要

L'invention concerne un procédé de réalisation de dispositif semi-conducteur à architecture asymétrique (100). Le dispositif (100) comporte un substrat (110) sur lequel est disposé au moins un empilement dans cet ordre d'une première couche photosensible (111), d'une couche non photosensible (112) et d'une seconde couche photosensible (113). Le procédé comporte au moins une étape d'insolation d'une première zone (103a, 105a) dans chacune des couches photosensibles (111, 113) par un premier faisceau d'électrons traversant la couche non photosensible (112), et au moins une autre étape d'insolation d'au moins une seconde zone d'une des deux couches photosensibles (111) par un second faisceau d'électrons ou de photons ou d'ions, la seconde zone étant en partie superposée à l'une des premières zones.