发明名称 |
STRUCTURE DE TRANSISTOR DOUBLE-GRILLE DOTEE D'UN CANAL A PLUSIEURS BRANCHES. |
摘要 |
La présente invention concerne une structure améliorée de transistor à double-grille et à canal à plusieurs branches, ainsi qu'un procédé de réalisation d'une telle structure.
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申请公布号 |
FR2921757(A1) |
申请公布日期 |
2009.04.03 |
申请号 |
FR20070057960 |
申请日期 |
2007.09.28 |
申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL;INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE |
发明人 |
ERNST THOMAS;DUPRE CECILIA |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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