发明名称 STRUCTURE DE TRANSISTOR DOUBLE-GRILLE DOTEE D'UN CANAL A PLUSIEURS BRANCHES.
摘要 La présente invention concerne une structure améliorée de transistor à double-grille et à canal à plusieurs branches, ainsi qu'un procédé de réalisation d'une telle structure.
申请公布号 FR2921757(A1) 申请公布日期 2009.04.03
申请号 FR20070057960 申请日期 2007.09.28
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL;INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE 发明人 ERNST THOMAS;DUPRE CECILIA
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
地址