Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit vertikaler Emissionsrichtung und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements

摘要

Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit vertikaler Emissionsrichtung angegeben, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge ist ein zur Erzeugung einer Pumpstrahlung vorgesehener Pumpbereich (3) ausgebildet. Auf dem Pumpbereich (3) ist ein zur Erzeugung einer Emissionsstrahlung vorgesehener Emissionsbereich (4) angeordnet. In dem Halbleiterbauelement ist eine Koppelstruktur (7) ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (1) angegeben.