发明名称 |
Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers |
摘要 |
Ein Halbleiterlaser ist als oberflächenemittierender Dünnfilm-Halbleiterlaser (2) mit einem Halbleiterkörper (4) ausgebildet. Der Halbleiterkörper (4) umfasst eine erste und eine zweite planare Oberfläche (12, 14). Zwischen den planaren Oberflächen umfasst der Halbleiterkörper (4) zur Erzeugung von Strahlung zumindest eine aktive Schicht (10). Zum Auskoppeln der Strahlung aus der aktiven Schicht (10) hin zu der ersten planaren Oberfläche (12) weist der Halbleiterkörper (4) zumindest eine zu der (26) auf.
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申请公布号 |
DE102007062050(A1) |
申请公布日期 |
2009.04.02 |
申请号 |
DE200710062050 |
申请日期 |
2007.12.21 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
SCHMID, WOLFGANG;BRICK, PETER |
分类号 |
H01S5/18;H01S5/026;H01S5/40 |
主分类号 |
H01S5/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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