发明名称 Integrierte Schaltkreise; Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises und Speichermodul
摘要 Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen im Allgemeinen integrierte Schaltkreise, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises und ein Speichermodul. In einer Ausführungsform der Erfindung wird ein integrierter Schaltkreis mit einer programmierbaren Anordnung bereitgestellt. Die programmierbare Anordnung weist auf: ein Substrat, mindestens eine erste Elektrode, die in oder über dem Substrat angeordnet ist, Ionenleiter-Dotier-Material, das über der mindestens einen ersten Elektrode angeordnet ist, Ionenleiter-Material, das über dem Ionenleiter-Dotier-Material angeordnet ist, und mindestens eine zweite Elektrode, die über dem Ionenleiter-Material angeordnet ist.
申请公布号 DE102007046956(A1) 申请公布日期 2009.04.02
申请号 DE200710046956 申请日期 2007.10.01
申请人 ALTIS SEMICONDUCTOR SNC;QIMONDA AG 发明人 KLOSTERMANN, ULRICH;LEE, GILL YONG
分类号 H01L27/24 主分类号 H01L27/24
代理机构 代理人
主权项
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