| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer aktiven Zone angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene Mehrfachquantentopfstruktur enthält, welche eine Mehrzahl von aufeinander folgenden Quantentopfschichten aufweist. Die Mehrfachquantentopfstruktur weist mindestens eine erste Quantentopfschicht auf, die n-leitend dotiert ist und die zwischen zwei an die erste Quantentopfschicht angrenzenden, n-leitend dotierten Barriereschichten angeordnet ist. Sie weist eine zweite Quantentopfschicht auf, die undotiert ist und zwischen zwei an die zweite Quantentopfschicht angrenzenden Barriereschichten angeordnet ist, von denen eine n-leitend dotiert und die andere undotiert ist. Zudem weist die Mehrfachquantentopfstruktur mindestens eine dritte Quantentopfschicht auf, die undotiert ist und die zwischen zwei an die dritten Quantentopfschicht angrenzenden, undotierten Barriereschichten angeordnet ist. |
