<p>Halbleiteranordnung mit einer Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter Substrat-PN-Diode als Klammerelement (TMBS-Sub-PN), die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet, wobei die (TMBS-Sub-PN) aus einer 10 Kombination von Schottky-Diode, MOS-Struktur und Substrat-PN-Diode besteht und die Durchbruchspannung der Substrat-PN-Diode BV_pnniedriger als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky und die Durchbruchspannung der MOS-Struktur BV_mos ist.</p>
