Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung enthält einen Schritt zur Ionenimplantation von einer Störstelle in eine Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer (1 und 2); einen Schritt zum Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm (6) von einer vorbestimmten Dicke oberhalb der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbenimplantiert wurde, durch ein chemisches Dampfablagerungsverfahren, welches einen Film durch ein Pyrolisieren von einem Kohlenwasserstoffgas ablagert; und einen Schritt zum Ausglühen des Siliziumcarbid-Wafers (1 und 2), welcher mit dem Kohlenstoff-Schutzfilm (6) ausgebildet wurde. Dadurch kann der Kohlenstoff-Schutzfilm (6) ausgebildet werden, welcher extrem wenige Kontaminationen enthält und eine Erzeugung von einer Stufenbündelung auf der Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer (1 und 2) und einen Anstieg von darin erzeugten Kristalldefekten aufgrund von einer unausgeglichenen Wärmebelastung verhindert.