| 主权项 |
1.一种连续式制造寡碳酸酯之方法，包括依序之步骤：a)将二羟基芳基化合物与二芳基碳酸酯于触媒之存在下进行反应以获得一种熔体，并且避免将释出之单羟基芳基化合物移除，与b)藉急骤蒸发取出单羟基芳基化合物，与c)于一具有接收槽之蒸发器中，将获得之熔体于真空下加热，与d)在增加温度范围为10-90℃与压力渐减范围为20-350毫巴下，至少重覆一次步骤b)与随后之步骤c)，其中在所有步骤中之温度及压力可分别在介于180至300℃间及400至5毫巴间变化或维持，且步骤b)与c)之次数系于2至6间变化，及其中二羟基芳基化合物为式(I)：HO-Z-OH (I)其中Z为具有6至30个碳原子之芳基(可含有一或多个芳环)，可经取代及可含有脂族或环脂族或烷芳基或杂原子作为桥型交联剂；及二芳基碳酸酯为式(II)：或式(III)：或其混合物其中R，R’及R”彼此独立代表H，选择性分支的C1-C34-烷基/环烷基，C7-C34-烷芳基或C6-C34-芳基。2.根据申请专利范围第1项之方法，其中该步骤a)系于一具穿孔板之管柱中进行，与步骤b)系于一离心式或挡板分离器中进行，与步骤c)系于一具有接收槽之降膜蒸发器中进行。3.根据申请专利范围第1项之方法，其中急骤蒸发系藉水压以与具接收槽之蒸发器分开。4.根据申请专利范围第2项之方法，其中离心式或挡板分离器系藉水压与具有接收槽之降膜蒸发器分开。5.根据申请专利范围第2项之方法，其中熔体之分配发生于降膜蒸发器上方之分配器中，其顾及流体力学而致无任何死角空间。6.根据申请专利范围第2项之方法，其中降膜蒸发器包含具有直径25至150毫米之管件。7.根据申请专利范围第6项之方法，其中管件具有长度4至20公尺。8.根据申请专利范围第6项之方法，其中管件为螺管。9.根据申请专利范围第1项之方法，其中步骤b)与c)之次数为3或4。10.根据申请专利范围第9项之方法，其中步骤b)与c)之次数为4且其反应温度分别为180-220℃，190-250℃，220-280℃及250-300℃与其反应压力分别为100-400毫巴，50-200毫巴，30-150毫巴及5-100毫巴。11.根据申请专利范围第1项之方法，其中混合系于接收槽中进行，而且其中之混合受到熔体经由反应容器上部的格子结构或填充管柱，回送至接收槽之影响。12.根据申请专利范围第11项之方法，其中格子结构每单位长度之负载于0.05与5立方公尺/(公尺*小时)之间。13.一种使用根据申请专利范围第1项之方法制备之寡碳酸酯之方法，其系包含制造聚碳酸酯。14.根据申请专利范围第13项之方法，其中寡碳酸酯与聚碳酸酯之制造系于不同之场所进行。 |
