藉由来自由丛聚或分子离子束之介电掺杂之浅沟槽之形成

摘要

本发明揭示一种在一IC(100)基板(102)中采用10#sP!14#eP! cm#sP!-2#eP!以上的平均掺杂剂量形成小于20奈米深的扩散区域(特别是在一MOS电晶体(106)中的LDD区域)之方法。掺杂物系使用气体丛聚离子束(GCIB)植入、分子离子植入或原子离子植入而植入于一源极介电层中，从而在该IC基板中产生可忽略的损害。一尖锋退火或一雷射退火将该等植入掺杂物扩散于该IC基板中。本发明之方法亦可应用于形成源极及汲极(S/D)区域。一源极介电层(116)可用于形成NLDD及PLDD两区域。