| 摘要 |
本发明系揭露一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂及其清洗方法。本发明之光刻胶清洗剂包含二甲基亚 、季铵氢氧化物，烷基二醇芳基醚或其衍生物。烷基二醇芳基醚或其衍生物如化学式一所示。化学式一：#P 096136117P01.bmp 其中，R#sB!1#eB!为含有6~18个碳原子的芳基，R#sB!2#eB!为Ｈ或含有6~18个碳原子的芳基，m＝2~6，n＝1~6。清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻剂)和其它残留物，同时对于二氧化矽、Cu(铜)等金属以及低ｋ材料等具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 |
