发明名称 在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化
摘要 在一实施例中,用于X射线成像仪(200)的图像传感器(290)包括光电二极管(223)和读出电路。在读出电路之下形成的深阱(232)可以被配置为二极管,用以排出寄生电子,否则的话,寄生电子会在图像中产生噪声。例如,寄生电子可以被排出到电源或者用于计量目的的测量电路。
申请公布号 CN101401219A 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200680013674.9 申请日期 2006.03.01
申请人 塞浦路斯半导体公司 发明人 D·R·谢弗;T·A·沃尔查普
分类号 H01L31/113(2006.01)I 主分类号 H01L31/113(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人 王 勇
主权项 1、一种CMOS图像传感器,包括:光电二极管,位于外延层中的第一阱中;读出电路,被配置为接收来自所述光电二极管的图像信息,在所述外延层中的第二阱中形成所述读出电路;和第一深阱,在所述读出电路之下的第二阱下延伸,所述第一深阱被配置为形成二极管,以排出由于直接转换的X射线而产生的寄生电子。
地址 美国加利福尼亚州