发明名称 | 在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化 | ||
摘要 | 在一实施例中,用于X射线成像仪(200)的图像传感器(290)包括光电二极管(223)和读出电路。在读出电路之下形成的深阱(232)可以被配置为二极管,用以排出寄生电子,否则的话,寄生电子会在图像中产生噪声。例如,寄生电子可以被排出到电源或者用于计量目的的测量电路。 | ||
申请公布号 | CN101401219A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
申请号 | CN200680013674.9 | 申请日期 | 2006.03.01 |
申请人 | 塞浦路斯半导体公司 | 发明人 | D·R·谢弗;T·A·沃尔查普 |
分类号 | H01L31/113(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 勇 |
主权项 | 1、一种CMOS图像传感器,包括:光电二极管,位于外延层中的第一阱中;读出电路,被配置为接收来自所述光电二极管的图像信息,在所述外延层中的第二阱中形成所述读出电路;和第一深阱,在所述读出电路之下的第二阱下延伸,所述第一深阱被配置为形成二极管,以排出由于直接转换的X射线而产生的寄生电子。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |