利用回圈技术抑制马达反应电动势的控制结构

摘要

本发明是有关于一种「利用回圈技术抑制马达反应电动势的控制结构」，至少包括有一控制单元、一准位抑制机制单元、一桥式驱动电路、及一马达线圈，在马达端切换时马达线圈单元因充、放电，会产生比输入电压大2～3倍的反应电动势，利用前述的准位抑制机制单元，在桥式电路中两P MOS电晶体之间形成一回圈(looping)，反应电动势产生的电流会在此回圈中消耗，来达到抑制马达反应电动势的目地。

主权项

1、一种利用回圈技术抑制马达反应电动势的控制结构，其特征在于，主要包括有：一控制单元有至少四个控制脚位，该第一脚位是电气连接一抑制准位机制单元，控制一桥式驱动电路中的一第一P MOS电晶体；该第二脚位是电气连接该抑制准位机制单元控制该桥式驱动电路中的一第二P MOS电晶体；该第三脚位是电气连接控制该桥式驱动电路中的一第三N MOS电晶体；该第四脚位是电气连接控制该桥式驱动电路中的一第四N MOS电晶体；前述桥式驱动电路是电气连接一马达线圈，以控制马达端切换；当马达切换时前述控制单元控制该桥式驱动电路中的该第二P MOS电晶体及第三N MOS电晶体导通，则该马达线圈，充、放电后产生一反应电动势；该反应电动势向上导至抑制准位机制单元，此时该抑制准位机制单元动作，使该桥式驱动电路的该第一P MOS电晶体及第二P MOS电晶体导通，使第一P MOS及第二P MOS电晶体形成一回路，使反应电动势在该回路中顺时钟方向回圈消耗，直至下一马达切换的第一P MOS电晶体及第四N MOS电晶体导通将剩余的反应电动势导至接地；及控制单元控制第一P MOS电晶体及第四N MOS电晶体导通后马达线圈产生反应电动势该反应电动势向上导至抑制准位机制单元抑制准位机制单元，此时该抑制准位机制单元动作，使该桥式驱动电路的该第二P MOS电晶体及第一P MOS电晶体导通，使第二P MOS及第一P MOS电晶体形成一回路，使反应电动势在该回路中逆时钟方向回圈消耗，直至下一马达切换的第二P MOS电晶体及第三N MOS电晶体导通将剩余的反应电动势导至接地，如此周而复始，来达到抑制马达反应电动势的目地。