发明名称 |
一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 |
摘要 |
纳米技术领域中的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法,特征:氧化钨纳米材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5μm,宽度为100-400nm,厚度为10-50nm;氧化钨纳米带平行并垂直于金属钨基体方向直接生成。制备步骤:以金属钨丝或钨片为反应基体,基体两端分别连接加热电源的正负极,将金属钨基体置于密闭反应室中;抽真空至3000~5000Pa时,打开加热电源,控制基体温度在500~1100℃间,反应5~30min后关闭加热电源;保持真空度不变自然冷却至室温。优点:氧化钨材料与基体结合牢固;并呈现高度有序的纳米带状阵列结构;阵列比表面积大,纳米尺寸效应显著;制备简捷,无需基体前处理和外源物参与反应,其过程一步完成。 |
申请公布号 |
CN100473611C |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
CN200610048073.3 |
申请日期 |
2006.10.19 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
全燮;王华;赵慧敏;陈硕 |
分类号 |
C01G41/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01G41/02(2006.01)I |
代理机构 |
大连星海专利事务所 |
代理人 |
修德金 |
主权项 |
1. 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,是通过金属钨和空气中的氧气发生氧化反应而获得,纳米带阵列结构的氧化钨分子结构为WOx,其x为1<x≤3,是由多种钨氧化物组成,而其中氧化钨材料最主要的分子结构为三氧化钨,其特征在于:氧化钨材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5μm,宽度为100-400nm,厚度为10-50nm;各氧化钨纳米带是在金属钨的基体上相互平行,并垂直于基体方向直接生长。 |
地址 |
116024辽宁省大连市大连市甘井子区凌工路2号 |