改进的光电探测器

摘要

本发明包含具有由第二p型半导体层耦合的第一p型半导体层和n型半导体层的光电二极管。第二p型半导体层在沿载流子的路径上具有分级的掺杂。具体而言，掺杂的浓度分级为从阳极附近的高值到接近阴极的p浓度的低值。通过以这种方式对掺杂进行分级，实现吸收增加，改善器件的响应度。虽然与相同厚度的本征半导体相比，这种掺杂增加了容量，但由这种分级掺杂而产生的伪电场使电子具有非常高的速度，这种速度高于对这种容量的增加的补偿。

主权项

1. 一种光电二极管，包括：一第一p型半导体层；一n型半导体层；在第一p型半导体层和n型半导体层之间设置的一第二p型半导体层，该第二p型半导体层被设置使得该第二P型半导体直接邻近于n型半导体，且该第二p型半导体层具有分级掺杂浓度，其中，对于所有大于零的x和D，在第二p型半导体层的深度D上，由下面的等式控制分级掺杂浓度：其中p0是x＝0的位置的掺杂浓度，x是在第二p型半导体层的深度方向上距第一p型半导体层的距离。