| 发明名称 | 容短接存储单元的电阻交叉点阵列 | ||
| 摘要 | 一种数据存储装置，包括存储单元的一个电阻交叉点阵列和多个导体。每个存储单元包括一个存储元以及在该存储元(50)上和导体之一之间的导电硬掩蔽材料。数据存储装置还可以是一个磁性随机存取存储器装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100474438C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN02124896.6 | 申请日期 | 2002.06.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | J·H·尼克尔 |
| 分类号 | G11C11/02(2006.01)I;G11C5/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种数据存储装置，包括存储单元的一个电阻交叉点阵列，以及多个导体，每个存储单元包括一个存储元以及在存储元和导体之一之间的导电硬掩蔽材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||