发明名称 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
摘要 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板包括在一基板上的选通图形。选通图形包括栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极。源/漏图形包括源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极。半导体图形形成在源/漏图形之下。透明电极图形包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极。薄膜晶体管阵列基板还包括在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处层叠的栅绝缘图形和钝化膜图形。
申请公布号 CN100474584C 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200410083486.6 申请日期 2004.10.09
申请人 乐金显示有限公司 发明人 柳洵城;赵兴烈
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李 辉
主权项 1、一种薄膜晶体管阵列基板,其包括:一基板上的选通图形,该选通图形包括薄膜晶体管的栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极;源/漏图形,其包括薄膜晶体管的源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极;在源/漏图形之下形成的半导体图形;透明电极图形,其包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极;以及栅绝缘图形和钝化膜图形,二者层叠在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处,其中源/漏图形被钝化膜图形露出,并且源/漏图形的侧表面比钝化膜图形进一步向下和向外倾斜。
地址 韩国首尔