发明名称 |
使用全相位和修剪掩膜的临界尺寸控制 |
摘要 |
为了在晶片上印刷子波长特征,可以使用包括全相位PSM(FPSM)和相应修剪掩模的掩模组。特别是在非临界区,在FPSM上的相位分配导致用修剪掩模限定一些特征。遗憾的是,这个有限特征限定引起这些非临界区中临界尺寸(CD)大变化。通过在诸如T形交叉点、肘形和其它类型交线的非临界区中限定多个特征边缘部分,既使掩模基本有偏差,也可以更好地控制不理想的临界尺寸(CD)。 |
申请公布号 |
CN100474108C |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
CN03804271.1 |
申请日期 |
2003.02.25 |
申请人 |
数字技术股份有限公司 |
发明人 |
C·皮亚拉特 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈 炜 |
主权项 |
1. 一种改进晶片材料层中特征的临界尺寸控制CD的方法,该方法包括:用全相移掩模FPSM限定所述特征的临界边缘部分,所述全相移掩模包括相邻移相器之间的第一组切口,以使用所述全相移掩模来解决限定所述特征的相位冲突,以及接近所述第一组切口的第二组切口,用于使用修剪掩模来限定接近所述第一组切口的边缘部分;和用所述修剪掩模限定对应于所述第二组切口的非临界边缘部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |