| 摘要 |
本发明系关于一种藉由反向遮罩以在阵列与周边之间提供一更加均匀之遮罩高度来改良高纵横比蚀刻的方法。一非晶碳层沈积于一基板之上方。一无机硬遮罩沈积于该非晶碳之上，接着在该基板之阵列部分上方沈积一光可定义(photodefinable)材料层。该光可定义材料连同上伏于周边的无机硬遮罩一起被移除。该非晶碳层之一部分在曝露的周边中被蚀刻。无机硬遮罩被移除及继续进行正常的高纵横比蚀刻。周边中剩余之非晶碳层的量导致了在高纵横比蚀刻结束时在阵列与周边之间具有一更加均匀之遮罩高度。该更加均匀之遮罩高度减轻了阵列边缘的扭曲。 |
