制作快闪存储器的方法

摘要

本发明提供制作快闪存储器的方法，首先提供一半导体基底，然后在半导体基底中制作绝缘浅沟结构，于半导体基底表面形成一浮置栅极介电层。然后依序于半导体基底上沉积一导电层与一研磨缓冲层，再进行一研磨工艺，以绝缘浅沟结构当作停止层而移除部分导电层与研磨缓冲层。然后移除剩下的研磨缓冲层，于半导体基底上依序形成一介电层、一控制栅极与一图案化的盖层。最后，移除没有被盖层覆盖的介电层与导电层以制作浮置栅极。

主权项

1. 一种制作一快闪存储器的方法，其包含：提供一半导体基底；在该半导体基底中形成多个绝缘浅沟结构；在该半导体基底表面形成一浮置栅极介电层；依序在该半导体基底上沉积一第一导电层与一研磨缓冲层；进行一研磨工艺，并以该绝缘浅沟结构作为停止层以移除部分该第一导电层与该研磨缓冲层；移除剩下的该研磨缓冲层；在该半导体基底上依序形成一介电层、一控制栅极与一图案化的盖层；以及移除未被该盖层覆盖的该介电层与该第一导电层，以使剩下的该第一导电层形成一浮置栅极。