| 摘要 |
〔课题〕本发明的目的系发挥绝缘膜作为低反射膜所要的功能，并提供抑制暗电流的半导体侦光元件及其制造方法。〔解决手段〕包括绝缘膜形成步骤，在半导体上形成绝缘膜；以及电极形成步骤，在上述半导体应除去接触窗之处形成电极。上述电极形成步骤后，包括绝缘膜保护用光阻形成步骤，在上述绝缘膜上形成光阻。包括供电层形成步骤，在上述光阻及上述电极上，形成金属的供电层；电镀形成步骤，上述供电层形成步骤后，在相接上述电极的上述供电层上进行电镀形成；以及供电层蚀刻步骤，上述电镀形成步骤后，留下应成为上述电极的部分，蚀刻上述供电层。更包括绝缘膜保护用光阻除去步骤，在上述供电层蚀刻步骤后，除去上述光阻。 |
