发明名称 半导体变形感测器
摘要 一种半导体变形感测器,系作为变形检测部而具备有由具备压电电阻元件之半导体基板所成的变形感测晶片,其特性系长期间安定,且在因应于测定对象物之变形而在变形感测晶片处所产生之变形的变换系数所测定之大小的变形范围内系为安定。藉由金属接合材而被接合有变形感测晶片之金属基底板,系具备有从变形感测晶片之侧边而突出的用以安装测定对象物之2个或是4个的突出构件。较理想,在与将变形感测晶片与金属基底板作接合之接合区域相对应之金属基底板的下面区域和突出构件的下面之间,系被设置有沟,在金属基底板之下面,系被设置有藉由沟而被挟持之突出部。
申请公布号 TW200914808 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097130822 申请日期 2008.08.13
申请人 日立金属股份有限公司 发明人 风间敦;冈田亮二;川井哲郎
分类号 G01L1/18(2006.01);G01B7/16(2006.01);G01G3/14(2006.01);G01L1/22(2006.01);G01L9/04(2006.01);H01L29/84(2006.01) 主分类号 G01L1/18(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本