发明名称 同步半导体记忆体装置及其驱动方法
摘要 本发明提供一种同步半导体记忆体装置,该同步半导体记忆体装置包括:一资料对准参考脉冲产生单元,其经组态以回应于一资料选通信号(DQS)而产生一资料对准参考脉冲;一对准保持信号产生单元,其经组态以回应于该资料对准参考脉冲及一资料输入时脉而产生一对准保持信号,在一对应于该资料选通信号之一后置段的周期期间启动该对准保持信号;及一资料对准单元,其经组态以回应于该资料对准参考脉冲及该对准保持信号而对准输入资料。
申请公布号 TW200915320 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097125819 申请日期 2008.07.09
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李康悦
分类号 G11C11/4076(2006.01);G11C11/4074(2006.01) 主分类号 G11C11/4076(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 南韩