发明名称 研磨液及研磨方法
摘要 具有阻障层之半导体积体电路的平坦化步骤中,用于化学机械研磨之研磨液,其特征为含有(A)胶体矽石粒子、(B)亲水性之苯并三唑衍生物、(C)疏水性之苯并三唑衍生物及(D)氧化剂。
申请公布号 TW200915411 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097128553 申请日期 2008.07.29
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 上村哲也
分类号 H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本